Film sottili, plasmi e ingegneria delle superfici

RGA (analisi dei gas residui),analisi degli ioni del plasma, analisi delle superfici e SIMS (spettrometria di massa di ioni secondari) con rilevamento del prodotto finale

Sistema automatico di analisi delle superfici

Misura la composizione superficiale dei primi nanometri o micrometri di profondità di un campione solido

Il AutoSIMS è un sistema SIMS completo e automatizzato per l'analisi di routine e ripetitiva delle superfici, ideale per le misure di film sottili, contaminazioni e dopaggi dal primo monostrato superficiale fino a molti micron di profondità, in campioni conduttori e isolanti.

Un sistema UHV per l'analisi delle superfici e il profiling dei film sottili

Uno strumento rivoluzionario per l'analisi delle superfici

Lo strumento Compact SIMS della Hiden è stato progettato per la caratterizzazione facile e veloce delle strutture stratificate, delle contaminazioni e delle impurità superficiali. Lo strumento rileva gli ioni positivi, assistito dal fascio primario di ioni di ossigeno, ed è in grado di discriminare isotopi su tutta la tavola periodica degli elementi. La geometria del cannone di ioni è ottimizzata per essere ideale per ottenere una risoluzione nanometrica in profondità vicino alla superficie.

Un analizzatore SIMS

Quando utilizzato in un sistema SIMS o FIB-SEM, fornisce l'analisi della composizione superficiale e la mappatura degli elementi

EQS è uno spettrometro di massa a quadrupolo ad alta trasmissione per ioni secondari, SIMS. Comprende una sezione elettrostatica a 45 gradi per l'analisi simultanea dell'energia degli ioni. Gli ioni vengono prelevati sull'asse del dispositivo, che lo rende molto popolare come aggiunta a una grande varietà di strumenti per analisi superficiale.

Per l'analisi degli ioni positivi e negativi, dei neutri e dei radicali dai processi al plasma

Misura lo spettro di massa e la distribuzione di energia di ioni, neutri e radicali in un plasma

Il sistema EQP misura direttamente la massa di ioni di processo sia positivi sia negativi, misurando masse fino a 2500 amu ed energie fino a 1000 eV.

Un sistema per il controllo dell'etching ionico

Rilevamento dell'End Point per i processi di etching ionico e al plasma

Il IMP-EPD è uno spettrometro di massa per ioni secondari molto resistente e con un sistema di pompaggio differenziale per l'analisi degli ioni secondari generati in processi di etching a fascio di ioni. Il sistema comprende un software integrato con specifici algoritmi sviluppati per ottimizzare il controllo del processo.

Un sistema per il monitoraggio di sorgenti multiple in applicazioni di deposizione MBE

Per l'analisi dei fasci molecolari e il controllo del rate di deposizione

Le sorgenti di fasci molecolari richiedono un controllo accurato per la crescita di film sottili con una qualità di produzione riproducibile. Il sistema XBS fornisce un monitoraggio in situ di sorgenti multiple con un segnale real time in uscita per un controllo preciso della deposizione.

Una sonda di Langmuir avanzata per la diagnostica dei plasmi

Misura le proprietà elettriche di un plasma a bassa pressione

Il monitoraggio delle caratteristiche I-V di un plasma mediate la sonda ESPion fornisce informazioni dirette riguardo la stabilità e riproducibilità del plasma. L'estrapolazione in tempo reale dei parametri del plasma fornisce informazioni dettagliate sulle proprietà del plasma, da utilizzare nella caratterizzazione e nel controllo dell'uniformità.

Un analizzatore di massa ed energia per la diagnostica dei plasmi

Misura lo spettro di massa di ioni, neutri e radicali in un plasma

Le sonde per plasma della Hiden misurano alcuni dei parametri chiave dei plasmi e forniscono informazioni dettagliate sulla chimica delle reazioni che vi avvengono.

Un analizzatore di gas residui per l'analisi di processi in vuoto

Misura la composizione dei processi in vuoto, la composizione dei gas e rileva le perdite

Il HPR-30 è un analizzatore di gas residui configurato per l'analisi di gas e vapori in vuoto e per la diagnostica del vuoto. Il sistema è interamente configurabile per applicazioni specifiche, come CVD, etching al plasma, MOCVD, controllo della purezza dei gas e della presenza di contaminanti.

Un sistema UHV di analisi superficiale per la caratterizzazione dei film sottili

Misura la composizione superficiale dei primi pochi nanometri e/o micron di campioni solidi

La Workstation SIMS permette SIMS statico e dinamico ad alte prestazioni per una dettagliata analisi della composizione superficiale e per il profiling in profondità.

Una sorgente di ioni Argon e Ossigeno a 5 KeV per applicazioni di analisi superficiale in UHV

Sorgente di ioni primari per analisi SIMS/SNMS e per la mappatura delle specie elettropositive

The IG20 features a high brightness electron impact gas ion source which is designed specifically for oxygen capability but is also suitable for use with inert and other gases.

Un cannone per ioni di Cesio a 5 KeV per applicazioni di analisi delle superfici in UHV

Sorgente di ioni primari per analisi SIMS/SNMS e mappatura delle specie elettronegative

The IG20 features a high brightness electron impact gas ion source which is designed specifically for oxygen capability but is also suitable for use with inert and other gases.

Un analizzatore SIMS/SNMS

Quando utilizzato in sistemi SIMS/SNMS, fornisce la composizione superficiale e la mappa degli elementi

L'analizzatore SIMS a quadrupolo della Hiden è un sistema allo stato dell'arte per la spettrometria di massa a ioni secondari per applicazioni su ioni positivi, negativi e per lo studio di sistemi dinamici.

L'analizzatore MAXIM comprende un filtro integrale di energia per gli ioni con un angolo di accettazione di 30° rispetto all'asse della sonda, un'ottica di estrazione SIMS ad alta trasmissione, triplo filtro di massa, rilevatore in grado di contare gli ioni ed elettronica di controllo.

Un sistema UHV per lo studio di TPD (desorbimento termico diretto)

Misura il desorbimento termico diretto di film sottili solidi

La Workstation TDP ha una camera UHV con ingressi multipli e uno stage di riscaldamento del campione accoppiato a un analizzatore ad alta precisione con triplo filtro e un rilevatore/contatore digitale di ioni, per ottenere la migliore sensibilità e risoluzione temporale.